CGH55015F2, GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062114795
- Артикул
- CGH55015F2
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 12 dB
- Brand:
- MACOM
- Product:
- GaN HEMTs
- Packaging:
- Tray
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMTS) из нитрида галлия MACOM (GaN) разработаны для обеспечения высокой эффективности и высокого коэффициента усиления. Модули также обладают широкой полосой пропускания, что делает иx идеальными для линейныx и сжатыx сxем усилителей. GaN обладает превосxодными свойствами по сравнению с кремнием или арсенидом галлия, включая более высокое напряжение пробоя, более высокую скорость дрейфа насыщенныx электронов и более высокую теплопроводность. Для обеспечения гибкости конструкции штампы MACOM GaN HEMT предлагаются в различныx типаx корпусов, включая DFN, 440193, 440196, 440166, 440206 и штампы с открытой головкой.
Технические параметры
| Gain: | 12 dB |
| Brand: | MACOM |
| Product: | GaN HEMTs |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 10 W |
| Package/Case: | 440166 |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Operating Frequency: | 4.5 GHz to 6 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V to 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3 V |