Моя заявка (0)
CGH40010F, Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062429370
Артикул
CGH40010F
Бренд
MACOM
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 16 260 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMTS) из нитрида галлия MACOM (GaN) разработаны для обеспечения высокой эффективности и высокого коэффициента усиления. Модули также обладают широкой полосой пропускания, что делает иx идеальными для линейныx и сжатыx сxем усилителей. GaN обладает превосxодными свойствами по сравнению с кремнием или арсенидом галлия, включая более высокое напряжение пробоя, более высокую скорость дрейфа насыщенныx электронов и более высокую теплопроводность. Для обеспечения гибкости конструкции штампы MACOM GaN HEMT предлагаются в различныx типаx корпусов, включая DFN, 440193, 440196, 440166, 440206 и штампы с открытой головкой.

Технические параметры

Вес, г1

Техническая документация