CGH27030S, GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005399254
- Артикул
- CGH27030S
- Бренд
- MACOM
- Gain
- 18.3dB
- Gain:
- 18 dB
- Brand:
- MACOM
- Frequency
- 6GHz
Цена по запросу
(от 15 820 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ВЧ-моп-транзистор 28 В 200 мА, 6 ГГц, 18,3дБ, 30 Вт, 12-DFN (4x3)
Технические параметры
| Gain | 18.3dB |
| Gain: | 18 dB |
| Brand: | MACOM |
| Frequency | 6GHz |
| Technology | HEMT |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Application: | Telecom |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 30 W |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Current - Test | 200 mA |
| Package / Case | 12-VFDFN Exposed Pad |
| Power - Output | 30W |
| Voltage - Test | 28 V |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Voltage - Rated | 84 V |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Структура | HEMT |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Operating Frequency: | 2.7 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 250 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 21.6 W |
| Supplier Device Package | 12-DFN(4x3) |
| Maximum Drain Gate Voltage: | 28 V |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+150 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V, 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 84 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3.8 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |