CGH27030P, GaN FETs GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005399253
- Артикул
- CGH27030P
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 15 dB
- Brand:
- MACOM
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 21
Цена по запросу
(от 27 920 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Gain: | 15 dB |
| Brand: | MACOM |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 21 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 30 W |
| Package/Case: | 440196 |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| NF - Noise Figure: | 3 dB |
| Структура | HEMT |
| Operating Frequency: | 2.7 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 14 W |
| Maximum Drain Gate Voltage: | 28 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V, 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3.8 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |