CG2H80030D-GP4, GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006246014
- Артикул
- CG2H80030D-GP4
- Бренд
- MACOM
- Gain
- 16.5dB
- Frequency
- 8GHz
- Technology
- HEMT
- Вес, г
- 5.37
Цена по запросу
(от 25 300 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
RF Mosfet 28 В 200 мА, 8 ГГц, 16,5 дБ, матрица мощностью 30 Вт
Технические параметры
| Gain | 16.5dB |
| Frequency | 8GHz |
| Technology | HEMT |
| Вес, г | 5.37 |
| Current - Test | 200 mA |
| Package / Case | Die |
| Power - Output | 30W |
| Voltage - Test | 28 V |
| Voltage - Rated | 84 V |
| Структура | HEMT |
| Особенности | высокочастотный |
| Supplier Device Package | Die |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |