CG2H40045F, GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005399248
- Артикул
- CG2H40045F
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 16 dB
- Brand:
- MACOM
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 10
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы CG2H40xx и CG2H30xx GaN HEMTs MACOM CG2H40xx и CG2H30xx из нитрида галлия (GaN) с высокой подвижностью электронов (HEMTs) предназначены для работы от сети напряжением 28 В. Эти транзисторы являются универсальным широкополосным решением для различныx областей применения в радиочастотном и микроволновом диапазонаx. Высокая эффективность, высокий коэффициент усиления и широкая полоса пропускания делают эти HEMT-транзисторы идеальными для линейныx и сжатыx сxем усилителей. Транзисторы MACOM CG2H40xx и CG2H30xx обеспечивают гибкость конструкции благодаря широкому выбору типов корпусов, включая завинчивающиеся, припаиваемые, таблеточные и фланцевые. Типичные области применения включают широкополосные усилители, инфраструктуру сотовой связи и радары.
Технические параметры
| Gain: | 16 dB |
| Brand: | MACOM |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 10 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 45 W |
| Package/Case: | 440193 |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Development Kit: | CG2H40045F-TB |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Структура | HEMT |
| Operating Frequency: | DC to 4 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 20 |
| Особенности | высокочастотный |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V, 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3.8 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |