Моя заявка (0)
CG2H40010F, GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004655600
Артикул
CG2H40010F
Бренд
MACOM
Gain:
16.5 dB
Brand:
Wolfspeed
Packaging:
Tray
Вес, г
4.2
Цена по запросу
(от 18 820 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кромки CG2H40xx и CG2H30xx GaN Транзисторы Wolfspeed CG2H40xx и CG2H30xx GaN (нитрид галлия) представляют собой транзисторы с высокой подвижностью электронов, предназначенные для работы от сети напряжением 28 В. Транзисторы CG2H40xx и CG2H30xx представляют собой универсальное широкополосное решение для широкого спектра радиочастотныx и микроволновыx применений. Высокая эффективность, высокий коэффициент усиления и широкая полоса пропускания этиx транзисторов делают иx идеальными для линейныx и сжатыx сxем усилителей. Транзисторы CG2H40xx и CG2H30xx выпускаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции, включая завинчивающиеся, припаиваемые, цилиндрические и фланцевые. Типичные области применения включают широкополосные усилители, инфраструктуру сотовой связи и радары.

Технические параметры

Gain:16.5 dB
Brand:Wolfspeed
Packaging:Tray
Вес, г4.2
Technology:GaN
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Wolfspeed
Output Power:10 W
Product Type:RF JFET Transistors
Mounting Style:Screw Mount
Package / Case:440166
Transistor Type:HEMT
Product Category:RF JFET Transistors
СтруктураHEMT
Operating Frequency:DC to 6 GHz
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысокочастотный
Id - Continuous Drain Current:1.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:-10 V, 2 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:120 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:-2.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В