CEDM7001 TR PBFREE, SOT-883L MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019805838
- Артикул
- CEDM7001 TR PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- FET Type
- N-Channel
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 19,80 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 100 мА 100 МВт 3Ohm при 10 мА, 4 В 900 мВ при 250uA нулевые МОП-транзисторы SOT-883 ROHS
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| FET Type | N-Channel |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 566 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -65℃~+175℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 14pF@20V |
| Total Device Dissipation (Pd) | 1.8W |
| Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) | 150mA@20V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 900 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) | 40V |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) | 10V@1nA |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30Ω |