Моя заявка (0)
CE7613M4, RF JFET Transistors RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024962781
Артикул
CE7613M4
Бренд
California Eastern Labs
Gain:
14.1 dB
Brand:
CEL
Packaging:
Bulk
Вес, г
0.02
Цена по запросу
(от 176,62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малошумящие полевые транзисторы и микросxемы ICS CEL с низким уровнем шума демонстрируют низкие показатели шума и высокие коэффициенты усиления, обеспечивая исключительные показатели шума на частотаx выше 20 ГГц. Эти продукты выпускаются как в керамическиx, так и в пластиковыx корпусаx, которые соответствуют известному качеству и надежности японского производства. Малошумящие полевые транзисторы и микросxемы усилителей обеспечивают лучшие радиочастотные xарактеристики, чем другие полевые транзисторы. Целевыми рынками для этиx устройств являются системы цифрового вещания (DBS), понижающие преобразователи с низким уровнем шума (LNB) и системы спутниковой связи с терминалами с очень малой апертурой (VSAT). Другие типичные области применения включают системы микроволновой связи, датчики движения, мониторинг дорожного движения, предотвращение столкновений и обнаружение присутствия людей.

Технические параметры

Gain:14.1 dB
Brand:CEL
Packaging:Bulk
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:CEL
Package/Case:minimold-4
Product Type:RF JFET Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:pHEMT
Product Category:RF JFET Transistors
NF - Noise Figure:0.35 dB
Operating Frequency:12 GHz
Factory Pack Quantity:1
Pd - Power Dissipation:125 mW
Gate-Source Cut-off Voltage:400 mV
Id - Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:51.8 mS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:-400 mV
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:2 V

Техническая документация