CE3520K3-C1, Trans RF MOSFET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002246085
- Артикул
- CE3520K3-C1
- Бренд
- California Eastern Labs
- Gain
- 13.8dB
- Mounting
- Surface Mount
- Frequency
- 20GHz
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 130 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокочастотные транзисторы JFET 20 ГГц NF .55dB Ga 13 .8dB -55C +125C
Технические параметры
| Gain | 13.8dB |
| Mounting | Surface Mount |
| Frequency | 20GHz |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Technology | pHEMT FET |
| Вес, г | 1 |
| Noise Figure | 0.8dB |
| Package Type | Micro-X |
| Rad Hardened | No |
| Current - Test | 10 mA |
| Package / Case | 4-Micro-X |
| Power - Output | 125mW |
| Voltage - Test | 2 V |
| Screening Level | Military |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Noise Figure (Max) | 0.8(dB) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temp Range | -55C to 125C |
| Power Gain (Typ)@Vds | 13.8(dB) |
| Current Rating (Amps) | 15mA |
| Особенности | высокочастотный |
| Supplier Device Package | 4-Micro-X |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 4 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.057 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |