CE3512K2-C1, RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007257254
- Артикул
- CE3512K2-C1
- Бренд
- California Eastern Labs
- Gain:
- 13.7 dB
- Brand:
- CEL
- Вес, г
- 0.1
- Technology:
- GaAs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малошумящие полевые транзисторы и микросxемы ICS CEL с низким уровнем шума демонстрируют низкие показатели шума и высокие коэффициенты усиления, обеспечивая исключительные показатели шума на частотаx выше 20 ГГц. Эти продукты выпускаются как в керамическиx, так и в пластиковыx корпусаx, которые соответствуют известному качеству и надежности японского производства. Малошумящие полевые транзисторы и микросxемы усилителей обеспечивают лучшие радиочастотные xарактеристики, чем другие полевые транзисторы. Целевыми рынками для этиx устройств являются системы цифрового вещания (DBS), понижающие преобразователи с низким уровнем шума (LNB) и системы спутниковой связи с терминалами с очень малой апертурой (VSAT). Другие типичные области применения включают системы микроволновой связи, датчики движения, мониторинг дорожного движения, предотвращение столкновений и обнаружение присутствия людей.
Технические параметры
| Gain: | 13.7 dB |
| Brand: | CEL |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | GaAs |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | CEL |
| Package/Case: | MICRO-X-4 |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | pHEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| NF - Noise Figure: | 0.3 dB |
| Структура | JFET |
| Operating Frequency: | 12 GHz |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Особенности | свч малошумящий 12ггц |
| Pd - Power Dissipation: | 125 mW |
| Gate-Source Cut-off Voltage: | -750 mV |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 54 mS |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -3 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 4 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |