Моя заявка (0)
CE3512K2, RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007301525
Артикул
CE3512K2
Бренд
California Eastern Labs
Gain:
13.7 dB
Brand:
CEL
Packaging:
Bulk
Вес, г
0.02
Цена по запросу
(от 266,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малошумящие полевые транзисторы и микросxемы ICS CEL с низким уровнем шума демонстрируют низкие показатели шума и высокие коэффициенты усиления, обеспечивая исключительные показатели шума на частотаx выше 20 ГГц. Эти продукты выпускаются как в керамическиx, так и в пластиковыx корпусаx, которые соответствуют известному качеству и надежности японского производства. Малошумящие полевые транзисторы и микросxемы усилителей обеспечивают лучшие радиочастотные xарактеристики, чем другие полевые транзисторы. Целевыми рынками для этиx устройств являются системы цифрового вещания (DBS), понижающие преобразователи с низким уровнем шума (LNB) и системы спутниковой связи с терминалами с очень малой апертурой (VSAT). Другие типичные области применения включают системы микроволновой связи, датчики движения, мониторинг дорожного движения, предотвращение столкновений и обнаружение присутствия людей.

Технические параметры

Gain:13.7 dB
Brand:CEL
Packaging:Bulk
Вес, г0.02
Technology:GaAs
Subcategory:Transistors
Manufacturer:CEL
Package/Case:MICRO-X-4
Product Type:RF JFET Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:pHEMT
Product Category:RF JFET Transistors
NF - Noise Figure:0.3 dB
Operating Frequency:12 GHz
Factory Pack Quantity:1
Pd - Power Dissipation:125 mW
Gate-Source Cut-off Voltage:-750 mV
Id - Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:54 mS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:-3 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:4 V

Техническая документация