CDN1308EDL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014215524
- Артикул
- CDN1308EDL
- Бренд
- Continental Device India
- Case
- SOT323
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.02
- Gate charge
- 1.4nC
Цена по запросу
(от 7,65 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT323 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 1.4nC |
| Manufacturer | CDIL |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SOT323 |
| Drain current | 1.1A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 0.3W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 0.185Ω |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 6A |
| Особенности | однопереходный |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |