Моя заявка (0)

CDMSJ2204.7-650 SL, MOSFETs 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

CDMSJ2204.7-650 SL, MOSFETs 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026932111
Артикул
CDMSJ2204.7-650 SL
Бренд
Central Semiconductor Corp
Brand:
Central Semiconductor
Fall Time:
31 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
30 ns
Цена по запросу
(от 282 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Центральные полупроводниковые МОП-транзисторы CDMSJ с N-канальным суперпереxодом обеспечивают высокий ток, высокое напряжение блокировки и напряжение стока-истока 650 В. Этот МОП-транзистор сочетает в себе высокое напряжение с низким RDS (ON), низким пороговым напряжением и низким зарядом затвора. Типичные области применения включают коррекцию коэффициента мощности (PFC), инверторы солнечной энергии, инверторы для электромобилей и источники питания с переключаемым режимом работы (SMPS).

Технические параметры

Brand:Central Semiconductor
Fall Time:31 ns
Packaging:Tube
Rise Time:30 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Central Semiconductor
Package/Case:TO-220FP-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:9.7 nC
СтруктураN-Channel Super Junction Power MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:22.5 W
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Typical Turn-Off Delay Time:49 ns
Id - Continuous Drain Current:4.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:5 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)990 mOhms

Техническая документация