CDMSJ22010-650 SL, MOSFETs 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026932139
- Артикул
- CDMSJ22010-650 SL
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Fall Time:
- 42 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 50 ns
Цена по запросу
(от 405 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Центральные полупроводниковые МОП-транзисторы CDMSJ с N-канальным суперпереxодом обеспечивают высокий ток, высокое напряжение блокировки и напряжение стока-истока 650 В. Этот МОП-транзистор сочетает в себе высокое напряжение с низким RDS (ON), низким пороговым напряжением и низким зарядом затвора. Типичные области применения включают коррекцию коэффициента мощности (PFC), инверторы солнечной энергии, инверторы для электромобилей и источники питания с переключаемым режимом работы (SMPS).
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Fall Time: | 42 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 50 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Package/Case: | TO-220FP-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | N-Channel Super Junction Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 29.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 87 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 390 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |