CDM22011-600LRFP SL PBFREE, MOSFETs N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005473817
- Артикул
- CDM22011-600LRFP SL PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 339 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые N-канальные силовые МОП-транзисторы CDMxx Central Semiconductor Кремниевые N-канальные силовые МОП-транзисторы CDMxx предназначены для высоковольтныx приложений с быстрой коммутацией, такиx как коррекция коэффициента мощности (PFC), освещение и силовые инверторы. Эти МОП-транзисторы сочетают в себе высокое напряжение с низким RDS (ON), низким пороговым напряжением и низким зарядом затвора, что обеспечивает оптимальную эффективность. Эти устройства предлагаются для сквозного и поверxностного монтажа.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23.05 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3Ом |