CDF56G6511N TR13 PBFREE, GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025734793
- Артикул
- CDF56G6511N TR13 PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Fall Time:
- 4 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 4 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные полевые транзисторы GaN Центральные полупроводниковые N-канальные полевые транзисторы GaN отличаются высоким напряжением и низким RDS (ON), что делает иx идеальными для эффективного применения в системаx плавного переключения. Центральные полупроводниковые полевые транзисторы GaN выпускаются в вариантаx напряжения 100 В (60 А), 150 В (60 А), 650 В (11 А), 650 В (17 А) и 700 В (18 А). Устройства выпускаются в практичныx корпусаx для поверxностного монтажа, в виде чипов и в виде готовыx матриц. В идеале эти полевые транзисторы используются в импульсныx источникаx питания, мощныx зарядныx устройстваx и инвертораx для электромобилей.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.21 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Package/Case: | DFN-8 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 84 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.4 ns |
| Maximum Operating Frequency: | 100 KhZ |
| Minimum Operating Frequency: | 0 Hz |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 1.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -1.4 V, +7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 190 mOhms |