CCSPG1060N TR PBFREE, GaN FETs 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025699599
- Артикул
- CCSPG1060N TR PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +6V, -4V
- Technology
- GaNFET(Gallium Nitride)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 650,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 100 В 60 А (Tc) 300 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-CSP (3.5x2.13)
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technology | GaNFET(Gallium Nitride) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-XFLGA, CSP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 9mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 25A, 5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-CSP(3.5x2.13) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |