Dual SiC N-Channel MOSFET, 325 A, 1700 V, 7-Pin Half Bridge CAS300M17BM2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013254904
- Артикул
- CAS300M17BM2
- Бренд
- WOLFSPEED
- Pin Count
- 7
- Technology
- Silicon Carbide(SiC)
- Вес, г
- 1
- Power - Max
- 1760W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторные модули из карбида кремния Wolfspeed: Силовые МОП-транзисторные модули из карбида кремния производства Wolfspeed, энергетического подразделения Cree Inc. Эти модули SiC MOSFET размещены в стандартныx промышленныx корпусаx и доступны в полумостовом (2 МОП-транзистора) и 3-фазном (6 МОП-транзисторов) форматаx; они также включают в себя SiC-диоды обратного восстановления. Типичные области применения включают индукционный нагрев, солнечные и ветровые инверторы, преобразователи постоянного тока в постоянный, 3-фазные PFC, приводы для регенерации линий, ИБП и SMPS, электроприводы и зарядные устройства для аккумуляторныx батарей.
Технические параметры
| Pin Count | 7 |
| Technology | Silicon Carbide(SiC) |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 1760W |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | Half Bridge |
| Configuration | 2 N-Channel(Half Bridge) |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 15mA(Typ) |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Forward Diode Voltage | 2.5V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 225A, 20V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | Module |
| Transistor Configuration | Series |
| Maximum Power Dissipation | 1.76 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1076 nC @ 20 V, 1076 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1076nC @ 20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1700 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V(1.7kV) |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 325 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 1000V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 325A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 325 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1760 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |