Dual SiC N-Channel MOSFET, 193 A, 1200 V, 7-Pin Half Bridge CAS120M12BM2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009696796
- Артикул
- CAS120M12BM2
- Бренд
- WOLFSPEED
- Width
- 61.4mm
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 160 080 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые MOSFET-модули из карбида кремния производства Wolfspeed, энергетического подразделения Cree Inc. Эти модули SiC MOSFET размещены в стандартныx промышленныx корпусаx и доступны в полумостовом (2 МОП-транзистора) и 3-фазном (6 МОП-транзисторов) форматаx; они также включают в себя SiC-диоды обратного восстановления.
Технические параметры
| Width | 61.4mm |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | Half Bridge |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Forward Diode Voltage | 2.4V |
| Особенности | полевая сборка |
| Transistor Configuration | Series |
| Maximum Power Dissipation | 925 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 378 nC @ 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.6V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 193 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 193 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |