CAB450M12XM3, Discrete Semiconductor Modules SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006206816
- Артикул
- CAB450M12XM3
- Бренд
- WOLFSPEED
- Width
- 53mm
- Вес, г
- 805
- Channel Type
- Dual N Channel
- Структура
- SiC HalfBridgeModule
Цена по запросу
(от 183 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокая удельная мощность, занимаемая площадь, Высокая температура (175°C), Низкая индуктивность (6,7 нМ) В конструкции реализована оптимизированная по проводимости теxнология MOSFET Третьего поколения
Технические параметры
| Width | 53mm |
| Вес, г | 805 |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Структура | SiC HalfBridgeModule |
| Transistor Material | SiC |
| Rds(on) Test Voltage | 15V |
| Transistor Case Style | Module |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Maximum Power Dissipation | 50 mW |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1330 nC @ 4/15V |
| Continuous Drain Current Id | 450A |
| MOSFET Module Configuration | Half Bridge |
| Maximum Gate Source Voltage | -4 V, 19 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.6V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.6 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 2600µohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 450 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |