Моя заявка (0)

CAB425M12XM3, Discrete Semiconductor Modules 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module

CAB425M12XM3, Discrete Semiconductor Modules 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018693772
Артикул
CAB425M12XM3
Бренд
WOLFSPEED
Technology
Silicon Carbide(SiC)
Вес, г
1
Channel Type
Dual N Channel
Configuration
2 N-Channel(Half Bridge)
Цена по запросу
(от 147 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Массив Моп-транзисторов 1200В (1,2 кВ) 450А для крепления на шасси

Технические параметры

TechnologySilicon Carbide(SiC)
Вес, г1
Channel TypeDual N Channel
Configuration2 N-Channel(Half Bridge)
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseModule
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 115mA
СтруктураSiC HalfBridgeModule
Operating Temperature-40°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 425A, 15V
Особенностивысоковольтный
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1135nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V(1.2kV)
Drain Source On State Resistance0.0032Ом
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30.7nF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C450A
Непрерывный Ток Стока450А
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)15В
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Конфигурация МОП-транзистораHalf Bridge
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0032Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А425
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)700 uOhms

Техническая документация