Моя заявка (0)

C4MS065120K1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 65mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

C4MS065120K1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 65mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073207517
Артикул
C4MS065120K1
Бренд
WOLFSPEED
Tab
Tab
PPAP
No
Category
Power MOSFET
Material
SiC
Цена по запросу
(от 870 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH SiC 1,2кВ 39A 4-контактный (4+вкладки) TO-247LP

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
CategoryPower MOSFET
MaterialSiC
MountingThrough Hole
Pin Count4
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed4
Part StatusActive
ConfigurationSingle Dual Source
Package Width5.21(Max)
Package Length16.13(Max)
Supplier PackageTO-247LP
Typical Fall Time (ns)10
Typical Rise Time (ns)2
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)182000(Typ)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)51@18V
Maximum Gate-Source Voltage (V)23
Typical Turn-On Delay Time (ns)9
Maximum Drain-Source Voltage (V)1200
Typical Turn-Off Delay Time (ns)21
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Operating Junction Temperature (°C)-40 to 175
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1225@1000V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)85@18V

Техническая документация