Моя заявка (0)

C3M0350120J, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial

C3M0350120J, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005399059
Артикул
C3M0350120J
Бренд
WOLFSPEED
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 627,03 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1200В 7.2А TO-263-7

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSiC
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г26
PCB changed7
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-263
ConfigurationSingle Hex Source
Package Width9.08
Package Length10.18
EDA / CAD ModelsC3M0350120J by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Maximum IDSS (uA)50
Process TechnologyC3M
СтруктураMOSFET
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)11
Typical Rise Time (ns)7
Особенностивысоковольтный
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)40800
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)13@15V
Maximum Gate Source Voltage (V)19
Typical Turn-On Delay Time (ns)6
Maximum Drain Source Voltage (V)1200
Typical Turn-Off Delay Time (ns)9
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.6
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)7.2
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)345@1000V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)455@15V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)250
Пороговое напряжение на затворе-7 V, +20 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)350мОм

Техническая документация