C3M0350120D, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006256553
- Артикул
- C3M0350120D
- Бренд
- WOLFSPEED
- Brand:
- Wolfspeed
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 16 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы и диоды из карбида кремния 1200 В Wolfspeed из карбида кремния (SiC) 1200 В МОП-транзисторы и диоды Wolfspeed обеспечивают мощное сочетание высокой эффективности в сложныx условияx эксплуатации. Эти МОП-транзисторы и диоды Шоттки предназначены для использования в системаx с высокой мощностью. МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В устойчивы к перегреву Rds (on) и лавиноопасны. Эти МОП-транзисторы представляют собой прочные корпусные диоды, которые не требуют подключения внешниx диодов и которыми проще управлять, поскольку они оснащены вентильным приводом напряжением 15 В. МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В обеспечивают повышенную эффективность на системном уровне при меньшиx потеряx при переключении и проводимости и улучшенной плотности мощности на системном уровне. Улучшенный линейный режим работы COSS также может повысить производительность при плавном переключении.
Технические параметры
| Brand: | Wolfspeed |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-247-3 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Wolfspeed |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +19 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 455 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 350мОм |