SiC N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 7-Pin D2PAK C3M0280090J
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014519678
- Артикул
- C3M0280090J
- Бренд
- WOLFSPEED
- Case
- D2PAK-7
- Width
- 9.12mm
- FET Type
- N-Channel
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 1 750 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Wolfspeed представляет свой последний прорыв в теxнологии устройств питания SiC: первую в отрасли платформу MOSFET на 900 В.
Технические параметры
| Case | D2PAK-7 |
| Width | 9.12mm |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 7 |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Technology | C3M™, SiC |
| Вес, г | 0.45 |
| Gate charge | 9.5nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Wolfspeed(CREE) |
| Package Type | TO-263-7 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 11A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 50W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | -8…19V |
| On-state resistance | 0.28Ω |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | 900V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Reverse recovery time | 20ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7.5A, 15V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 50W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.5 nC @ 4/15V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, 18 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 15 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.28 Ом |