Моя заявка (0)

C3M0160120J-TR, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

C3M0160120J-TR, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8056110479
Артикул
C3M0160120J-TR
Бренд
WOLFSPEED
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Category
Power MOSFET
Цена по запросу
(от 970 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH SiC 1,2кВ 17А 8-контактный(7+вкладок) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
CategoryPower MOSFET
MaterialSiC
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed7
Part StatusActive
ConfigurationSingle Hex Source
Package Width9.08
Package Length10.18
Supplier PackageD2PAK
Maximum IDSS (uA)100
СтруктураN
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)8
Typical Rise Time (ns)8
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)90000
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)24@15V
Maximum Gate-Source Voltage (V)19
Typical Turn-On Delay Time (ns)11
Maximum Drain-Source Voltage (V)1200
Typical Turn-Off Delay Time (ns)14
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.6
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)632@1000V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)208@15V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17

Техническая документация