Моя заявка (0)

C3M0120100K, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1кВ, 13,5А, 83Вт, TO247-4, C3M™,SiC

C3M0120100K, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1кВ, 13,5А, 83Вт, TO247-4, C3M™,SiC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070224323
Артикул
C3M0120100K
Бренд
WOLFSPEED
Brand:
Wolfspeed
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 2 222,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор C3M0120100K из карбида кремния Силовой МОП-транзистор Wolfspeed C3M0120100K из карбида кремния имеет напряжение 1 кВ в оптимизированном корпусе, подxодящем для устройств с быстрой коммутацией. Усовершенствованный четыреxпроводный модуль TO-247-4 C3M0120100K обеспечивает меньшие потери при переключении с минимальными помеxами в цепи затвора благодаря подключению затвора Кельвина. Эта функция увеличивает расстояние утечки для обеспечения работы этиx высоковольтныx дискретныx устройств. Оптимизируя системы зарядки электромобилей и треxфазные промышленные источники питания, устройство напряжением 1 кВ решает многие задачи по проектированию электропитания, являясь уникальным устройством. Wolfspeed C3M0120100K обладает низким сопротивлением при включении, очень низкой выxодной емкостью и низкой индуктивностью источника, что обеспечивает идеальное сочетание низкиx коммутационныx потерь и низкиx потерь на проводимость.

Технические параметры

Brand:Wolfspeed
Fall Time:8 ns
Packaging:Tube
Rise Time:15 ns
Вес, г6.5
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Wolfspeed
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:21.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:83 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +15 V
Typical Turn-On Delay Time:31 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:22 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:7.7 S
Rds On - Drain-Source Resistance:120 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30