C3M Type N-Channel MOSFET, 22 A, 1 kV Enhancement, 8-Pin TO-263 C3M0120100J
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015513239
- Артикул
- C3M0120100J
- Бренд
- WOLFSPEED
- Case
- D2PAK-7
- Width
- 9.12mm
- Series
- C3M
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 3 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Wolfspeed представляет свой последний прорыв в теxнологии устройств питания на основе SiC, представив единственный в отрасли SiC MOSFET напряжением 1 кВ в новом оптимизированном корпусе, подxодящем для устройств с быстрой коммутацией.
Технические параметры
| Case | D2PAK-7 |
| Width | 9.12mm |
| Series | C3M |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 7 |
| Technology | C3M™, SiC |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 21.5nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Wolfspeed(CREE) |
| Package Type | TO-263-7 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-263 |
| Drain current | 22A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 83W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | -8…19V |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Transistor Material | SiC |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Forward Diode Voltage | 4.8V |
| Reverse recovery time | 16ns |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21.5 @ 4/+15 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +15 V, +9 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |