Моя заявка (0)

C3M0120090J, C3M Type N-Channel MOSFET, 22 A, 900 V Enhancement, 7-Pin TO-263

C3M0120090J, C3M Type N-Channel MOSFET, 22 A, 900 V Enhancement, 7-Pin TO-263

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014519676
Артикул
C3M0120090J
Бренд
WOLFSPEED
Width
9.12mm
Pin Count
7
Вес, г
2.22
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 3 560 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 22А, 83Вт, D2PAK-7, SiC

Технические параметры

Width9.12mm
Pin Count7
Вес, г2.22
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-263-7
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSiC
ОсобенностиEnhancement Mode
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation83 W
Typical Gate Charge @ Vgs17.3 nC @ 4/15V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, 18 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage900 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage1.8V
Maximum Drain Source Resistance120 mΩ
Maximum Continuous Drain Current22 A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В