C3M Type N-Channel MOSFET, 22 A, 900 V Enhancement, 7-Pin TO-263 C3M0120090J
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014519670
- Артикул
- C3M0120090J
- Бренд
- WOLFSPEED
- Width
- 9.12mm
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 2.22
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 3 180 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 22А, 83Вт, D2PAK-7, SiC
Технические параметры
| Width | 9.12mm |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 2.22 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263-7 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17.3 nC @ 4/15V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, 18 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.12 Ом |