C3M0075120J2-TR, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033025760
- Артикул
- C3M0075120J2-TR
- Бренд
- WOLFSPEED
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +19V, -8V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 30 А (Tc) 113,6 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-263-7
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 5mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 113.6W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1390 pF @ 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 75мОм |