Моя заявка (0)

C3M0075120J, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube

C3M0075120J, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009558830
Артикул
C3M0075120J
Бренд
WOLFSPEED
Type
null
Width
9.12mm
Pin Count
7
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 3 200 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Wolfspeed укрепляет свое лидерство в области теxнологии SiC, внедряя передовую теxнологию SiC MOSFET в новой дискретной упаковке с низкой индуктивностью.

Технические параметры

Typenull
Width9.12mm
Pin Count7
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-263-7
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSiC
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)113.6W
Особенностивысоковольтный
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation113.6 W
Typical Gate Charge @ Vgs48 nC @ 4/15V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)51nC@15V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, 19 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.35nF@1000V
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Continuous Drain Current (Id)30A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.6V
Minimum Gate Threshold Voltage1.8V
Maximum Drain Source Resistance75 mΩ
Maximum Continuous Drain Current30 A
Пороговое напряжение на затворе4V@5mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт113.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)90mΩ@20A, 15V

Техническая документация