Моя заявка (0)

C3M0075120D-A, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial

C3M0075120D-A, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025285893
Артикул
C3M0075120D-A
Бренд
WOLFSPEED
Tab
Tab
PPAP
No
Material
SiC
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 1 040 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH SiC 1,2кВ 32А 3-контактный (3+вкладки) TO-247

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MaterialSiC
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-247-3
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-247
СтруктураMOSFET
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)17
Особенностивысоковольтный
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)113600
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)54@15V
Maximum Gate Source Voltage (V)15
Typical Turn-On Delay Time (ns)56
Maximum Drain Source Voltage (V)1200
Typical Turn-Off Delay Time (ns)32
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Continuous Drain Current (A)32
Operating Junction Temperature (°C)-40 to 175
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1390@1000V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)90@15V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт113.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)75мОм

Техническая документация