Моя заявка (0)

C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт

C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070205881
Артикул
C3M0075120D
Бренд
WOLFSPEED
Width
5.21mm
Pin Count
3
Вес, г
6.2
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 2 574,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width5.21mm
Pin Count3
Вес, г6.2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation113.6Вт
Transistor MaterialSiC
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation113.6 W
Typical Gate Charge @ Vgs54 nC @ 4/15V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, 19 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage1.7V
Maximum Drain Source Resistance75 mΩ
Drain Source On State Resistance0.075Ом
Maximum Continuous Drain Current30 A
Линейка ПродукцииC3M
Количество Выводов3вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока30А
Рассеиваемая Мощность113.6Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)15В
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.075Ом

Техническая документация