Моя заявка (0)

C3M0060065J-TR, Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

C3M0060065J-TR, Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8052305894
Артикул
C3M0060065J-TR
Бренд
WOLFSPEED
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Category
Power MOSFET
Цена по запросу
(от 1 270 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-контактный(7+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
CategoryPower MOSFET
MaterialSiC
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed7
Part StatusActive
ConfigurationSingle Hex Source
Package Width9.13(Max)mm
Package Length10.23(Max)mm
Supplier PackageD2PAK
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)6
Typical Rise Time (ns)8
Особенностивысоковольтный
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)136000
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)46@15V
Maximum Gate-Source Voltage (V)19
Typical Turn-On Delay Time (ns)9
Maximum Drain-Source Voltage (V)650
Typical Turn-Off Delay Time (ns)17
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Operating Junction Temperature (°C)-40 to 175
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1020@600V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)79@15V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация