Моя заявка (0)

C3M0060065J, Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube

C3M0060065J, Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010065371
Артикул
C3M0060065J
Бренд
WOLFSPEED
Brand:
Wolfspeed
Product:
MOSFET
Pin Count
7
Fall Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 2 930 ₽)
Минимальный заказ: 11 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния Wolfspeed 650 В обладают низким сопротивлением при включении и потерями при переключении, что обеспечивает максимальную эффективность и плотность мощности. МОП-транзисторы напряжением 650 В оптимизированы для применения в высокопроизводительной силовой электронике, включая серверные источники питания, системы зарядки электромобилей, системы накопления энергии, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания и системы управления аккумуляторами. По сравнению с кремниевыми, МОП-транзисторы на карбиде кремния Wolfspeed 650V обеспечивают на 75% меньшие потери при переключении, вдвое меньшие потери при проводимости и в 3 раза более высокую плотность мощности.

Технические параметры

Brand:Wolfspeed
Product:MOSFET
Pin Count7
Fall Time:6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:8 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Channel TypeN
Package TypeTO-263-7
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Wolfspeed
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:46 nC
СтруктураN-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:136 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +15 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Maximum Drain Source Voltage650 V
Typical Turn-Off Delay Time:17 ns
Id - Continuous Drain Current:36 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Forward Transconductance - Min:10 S
Maximum Continuous Drain Current36 A
Rds On - Drain-Source Resistance:60 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация