C3M0060065J, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004655583
- Артикул
- C3M0060065J
- Бренд
- WOLFSPEED
- Brand:
- Wolfspeed
- Product:
- MOSFET
- Pin Count
- 7
- Fall Time:
- 6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния Wolfspeed 650 В обладают низким сопротивлением при включении и потерями при переключении, что обеспечивает максимальную эффективность и плотность мощности. МОП-транзисторы напряжением 650 В оптимизированы для применения в высокопроизводительной силовой электронике, включая серверные источники питания, системы зарядки электромобилей, системы накопления энергии, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания и системы управления аккумуляторами. По сравнению с кремниевыми, МОП-транзисторы на карбиде кремния Wolfspeed 650V обеспечивают на 75% меньшие потери при переключении, вдвое меньшие потери при проводимости и в 3 раза более высокую плотность мощности.
Технические параметры
| Brand: | Wolfspeed |
| Product: | MOSFET |
| Pin Count | 7 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263-7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Wolfspeed |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +15 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60мОм |