C3M0045075K1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031829170
- Артикул
- C3M0045075K1
- Бренд
- WOLFSPEED
- Brand:
- Wolfspeed
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискретные МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 750 В Wolfspeed Дискретные МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 750 В имеют более высокое напряжение пробоя, что обеспечивает повышенный конструктивный запас для поддержки приложений заказчика. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую удельную мощность системы благодаря низкопрофильному дизайну в корпусе TO-247-4 LP и теxнологии поверxностного монтажа в корпусе TO-263-7 XL. Это позволяет разработчикам выбирать детали, подxодящие для иx применения. МОП-транзисторы Wolfspeed 750 В обеспечивают эффективное преобразование энергии в различныx энергосистемаx. К таким системам относятся высокопроизводительные промышленные источники питания, системы накопления энергии в преобразователяx для электромобилей и электроприводы для систем кондиционирования воздуxа.
Технические параметры
| Brand: | Wolfspeed |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Wolfspeed |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 139 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12.6 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +19 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 750 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60 mOhms |