Моя заявка (0)
C3M0045065K, 650V 176W TO-247-4L Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8057900509
Артикул
C3M0045065K
Бренд
WOLFSPEED
Brand:
Wolfspeed
Fall Time:
6 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
12 ns
Цена по запросу
(от 2 090 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В Wolfspeed Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В обладают низким сопротивлением при включении и потерями при переключении, что обеспечивает максимальную эффективность и плотность мощности. МОП-транзисторы напряжением 650 В оптимизированы для применения в высокопроизводительной силовой электронике, включая серверные источники питания, системы зарядки электромобилей, системы накопления энергии, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания и системы управления аккумуляторами. По сравнению с кремниевыми, МОП-транзисторы на карбиде кремния Wolfspeed 650V обеспечивают на 75% меньшие потери при переключении, вдвое меньшие потери при проводимости и в 3 раза более высокую плотность мощности.

Технические параметры

Brand:Wolfspeed
Fall Time:6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:12 ns
Вес, г8.08
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Wolfspeed
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-4
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:63 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:176 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +19 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:49 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:45 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V

Техническая документация