Моя заявка (0)

C3M0045065J1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial

C3M0045065J1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018737325
Артикул
C3M0045065J1
Бренд
WOLFSPEED
Brand:
Wolfspeed
Product:
MOSFETs
Packaging:
Tube
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 176,72 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В Wolfspeed Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В обладают низким сопротивлением при включении и потерями при переключении, что обеспечивает максимальную эффективность и плотность мощности. МОП-транзисторы напряжением 650 В оптимизированы для применения в высокопроизводительной силовой электронике, включая серверные источники питания, системы зарядки электромобилей, системы накопления энергии, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания и системы управления аккумуляторами. По сравнению с кремниевыми, МОП-транзисторы на карбиде кремния Wolfspeed 650V обеспечивают на 75% меньшие потери при переключении, вдвое меньшие потери при проводимости и в 3 раза более высокую плотность мощности.

Технические параметры

Brand:Wolfspeed
Product:MOSFETs
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Wolfspeed
Product Type:SiC MOSFETS
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:61 nC
СтруктураMOSFET
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:147 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +19 V
Id - Continuous Drain Current:47 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:60 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)45мОм

Техническая документация