C3M0045065D, SiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007174965
- Артикул
- C3M0045065D
- Бренд
- WOLFSPEED
- Brand:
- Wolfspeed
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 32 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В Wolfspeed Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В обладают низким сопротивлением при включении и потерями при переключении, что обеспечивает максимальную эффективность и плотность мощности. МОП-транзисторы напряжением 650 В оптимизированы для применения в высокопроизводительной силовой электронике, включая серверные источники питания, системы зарядки электромобилей, системы накопления энергии, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания и системы управления аккумуляторами. По сравнению с кремниевыми, МОП-транзисторы на карбиде кремния Wolfspeed 650V обеспечивают на 75% меньшие потери при переключении, вдвое меньшие потери при проводимости и в 3 раза более высокую плотность мощности.
Технические параметры
| Brand: | Wolfspeed |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Wolfspeed |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Power Dissipation | 176W |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 63 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain Source Voltage | 650V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 176 W |
| Continuous Drain Current | 49A |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +19 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 49 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 45мОм |