Моя заявка (0)

C3M0040120J2-TR, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial

C3M0040120J2-TR, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033027840
Артикул
C3M0040120J2-TR
Бренд
WOLFSPEED
Type:
Silicon Carbide Power MOSFET
Brand:
Wolfspeed
Product:
MOSFETs
Fall Time:
7 ns
Цена по запросу
(от 1 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 1200 В Wolfspeed Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 1200 В устанавливают стандарты производительности, прочности и простоты конструкции. МОП-транзисторы Wolfspeed отличаются быстрым переключением и малыми потерями при переключении, что обеспечивает значительное повышение эффективности системы, плотности мощности и общей стоимости по сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами и IGBT-транзисторами предыдущего поколения.

Технические параметры

Type:Silicon Carbide Power MOSFET
Brand:Wolfspeed
Product:MOSFETs
Fall Time:7 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:16 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Wolfspeed
Package/Case:TO-263-7
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:91 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:294 W
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:22 ns
Id - Continuous Drain Current:64 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.8 V
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +19 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)70 mOhms

Техническая документация