C3M0032120K1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041266563
- Артикул
- C3M0032120K1
- Бренд
- WOLFSPEED
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Material
- SiC
Цена по запросу
(от 1 590 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH SiC 1,2кВ 67А 4-контактный (4+вкладки) TO-247
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Material | SiC |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Dual Source |
| Package Width | 5.21(Max) |
| Package Length | 16.13(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247 |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 8 |
| Typical Rise Time (ns) | 19 |
| Особенности | высоковольтный |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 278000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 113@15V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 19 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 1200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 24 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 67 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3460@1000V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 43@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +19 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 32мОм |