C3M0025065L-TR, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026932616
- Артикул
- C3M0025065L-TR
- Бренд
- WOLFSPEED
- Brand:
- Wolfspeed
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 13 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В Wolfspeed Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 650 В обладают низким сопротивлением при включении и потерями при переключении, что обеспечивает максимальную эффективность и плотность мощности. МОП-транзисторы напряжением 650 В оптимизированы для применения в высокопроизводительной силовой электронике, включая серверные источники питания, системы зарядки электромобилей, системы накопления энергии, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания и системы управления аккумуляторами. По сравнению с кремниевыми, МОП-транзисторы на карбиде кремния Wolfspeed 650V обеспечивают на 75% меньшие потери при переключении, вдвое меньшие потери при проводимости и в 3 раза более высокую плотность мощности.
Технические параметры
| Brand: | Wolfspeed |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Wolfspeed |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TOLL-8 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 111 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 326 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +19 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 77 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |