C3M0025065J1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018657403
- Артикул
- C3M0025065J1
- Бренд
- WOLFSPEED
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +19V, -8V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 880 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 80А (Tc) 271 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-263-7
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 9.22mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 33.5A, 15V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 271W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 109 nC @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2980 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25 мОм |