Моя заявка (0)

C3M0021120K1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

C3M0021120K1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034088136
Артикул
C3M0021120K1
Бренд
WOLFSPEED
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
+19V, -8V
Technology
SiC(Silicon Carbide Junction Transistor)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 2 580 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 1200 В 104 А (Tc) 405 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-247-4L

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)+19V, -8V
TechnologySiC(Silicon Carbide Junction Transistor)
Вес, г1
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 17.1mA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 62.1A, 15V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)405W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247-4L
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs177 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5100 pF @ 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C104A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +19 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)21мОм

Техническая документация