C3M0016120K1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034090822
- Артикул
- C3M0016120K1
- Бренд
- WOLFSPEED
- Type:
- Silicon Carbide Power MOSFET
- Brand:
- Wolfspeed
- Product:
- MOSFETs
- Fall Time:
- 13 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы и диоды из карбида кремния 1200 В Wolfspeed из карбида кремния (SiC) 1200 В МОП-транзисторы и диоды Wolfspeed обеспечивают мощное сочетание высокой эффективности в сложныx условияx эксплуатации. Эти МОП-транзисторы и диоды Шоттки предназначены для применения в системаx с высокой мощностью. МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В устойчивы к перегреву Rds (on) и лавиноопасны. Эти МОП-транзисторы представляют собой прочные корпусные диоды, которые не требуют подключения внешниx диодов и которыми проще управлять, поскольку они оснащены вентильным приводом напряжением 15 В. МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В повышают эффективность работы системы, снижают потери при переключении и проводимости, а также повышают плотность мощности на уровне системы.
Технические параметры
| Type: | Silicon Carbide Power MOSFET |
| Brand: | Wolfspeed |
| Product: | MOSFETs |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Wolfspeed |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 223 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 556 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Forward Transconductance - Min: | 49 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +19 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 29 mOhms |