Моя заявка (0)

C3M0015065K, Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

C3M0015065K, Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009471150
Артикул
C3M0015065K
Бренд
WOLFSPEED
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
+15V, -4V
Technology
SiCFET(Silicon Carbide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 5 610 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 650 В 120 А (Tc) 416 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-247-4L

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)+15V, -4V
TechnologySiCFET(Silicon Carbide)
Вес, г1
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 15.5mA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-40°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 55.8A, 15V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)416W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247-4L
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs188 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5011 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация