C3M0015065D, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mO, 650V, TO-247-3, Industrial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006235587
- Артикул
- C3M0015065D
- Бренд
- WOLFSPEED
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +15V, -4V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 91
Цена по запросу
(от 2 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 120 А (Tc) 416 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-247-3
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 91 |
| Корпус | TO-247-3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 15.5mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 55.8A, 15V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 416W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 188 nC @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5011 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 416 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15мОм |